Абрам Фёдорович Иоффе (11 фото)

Родился в 1880 году в семье купца второй гильдии Файвиша (Фёдора Васильевича) Иоффе (1852—1898) и домохозяйки Рашели Абрамовны Вайнштейн. Еврей. Среднее образование получил в реальном училище города Ромны Полтавской губернии (1889—1897), где познакомился и завел дружеские отношения со Степаном Тимошенко, которые впоследствии поддерживал и в зрелом возрасте.

Работал практикантом и ассистентом в Мюнхенском университете в лаборатории Вильгельма Рентгена (1903-06), с 1906 — старший лаборант Петербургского политехнического института. После защиты магистерской и докторской диссертаций (1913-1915) избран профессором физики.

С 1906 года работал в Политехническом институте в Петербурге, где в 1918 году организовал физико–механический факультет для подготовки инженеров-физиков (с 1913 года - профессор).

В 1911 году А. Ф. Иоффе определил заряд электрона, использовав ту же идею, что и Р. Милликен: в электрическом и гравитационном полях уравновешивались заряженные частицы металла (в опыте Милликена — капельки масла). Однако эту работу Иоффе опубликовал только 1913 году (Милликен опубликовал свой результат несколько раньше, поэтому в мировой литературе эксперимент получил его имя).

Основные труды в области физики твердого тела и общей физики. Абрам Иоффе внес большой вклад в физику и технику полупроводников. В своей докторской диссертации решил задачу упругого последействия в кристаллах (1905). Провел ряд работ по измерению заряда электрона при внешнем фотоэффекте и доказал статический характер элементарного фотоэффекта (1913).

кспериментально доказал существование ионной проводимости в кристаллах (1916). Провел ставшие классическими исследования пластической деформации рентгеновским методом. Изучал механические свойства кристаллов и установил, что характер разрушения кристаллов при данной температуре определяется соотношением между пределом текучести и пределом прочности; это открытие имело большое значение для техники. Абрам Иоффе объяснил реальную прочность кристаллов (1922). Решил задачу об электрических аномалиях кварца, показав, что они связаны с образованием объемных зарядов внутри кварца.

Показал сильное влияние незначительных примесей на электропроводность диэлектриков. Разработал методы очистки кристаллов. Создал новые электротехнические материалы. Разработал методы устранения перенапряжений в кристаллах. Иоффе сформулировал новую идею о природе полупроводниковых свойств большой группы интерметаллических сплавов. Занимался проблемой выпрямления, очень важной для физики полупроводников.

Абрам Федорович Иоффе внес большой вклад в решение проблемы применения термо- и фотоэлектрических свойств полупроводников для преобразования тепловой и световой энергий в электрическую. Разработал теорию термоэлектрогенераторов и термоэлектрических холодильников. Выдвинул идею плазменного электричества. Создал сернистоталлиевый фотоэлемент с коэффициентом полезного действия более одного процента.

Под руководством А. Ф. Иоффе начинали свою научную деятельность будущие Нобелевские лауреаты П. Л. Капица, Н. Н. Семёнов, Л. Д. Ландау, работали крупнейшие учёные А. П. Александров, А. И. Алиханов, Л. А. Арцимович, М. П. Бронштейн, Я. Г. Дорфман, Я. Б. Зельдович, И. К. Кикоин, Б. П. Константинов, И. В. Курчатов, И. Е. Тамм (также будущий лауреат Нобелевской премии), Я. И. Френкель, Ю. Б. Харитон и многие другие.

А. Ф. Иоффе скончался в своём рабочем кабинете 14 октября 1960 года. Похоронен на Литераторских мостках Волкова кладбища, на его могиле установлен памятник работы М. К. Аникушина.